大學物理實驗儀器

1) 多功能内耗测试仪GEP-100  GEP-200

2) 真空试验仪 GT2010

3) 真空镀膜机 GT450

4) 电子束蒸发镀膜装置 GTBP-1

5)  href="#〈5〉" 电子束蒸发镀膜机 GT500ZZS

6) 直流磁控溅射镀膜装置 GTDM

7) 射频磁控溅射镀膜装置 GTRM

8) 多靶磁控溅射镀膜机 GT-500JJC

9) 微波CVD薄膜制备装置 GT2008

10) CCP ICP薄膜沉积试验仪GTDP GTIP

11) 热丝等离子体薄膜沉积实验装置

12) 电弧真空等离子体镀膜实验装置

13) 钨极电弧真空熔炼炉 ISSP-AMF

14) 气氛热处理程控高温炉 ISSP-HTF

15) 单晶炉 ISSP-SHF

16) 箱式炉 GT-1100X

17) 真空退火炉 GT-AF300

18) 超声雾化热解喷涂设备 GT-US

19) 贵金属溅射台 GTPM-1

20) 激光单晶定向仪 GT6510

21) 电弧/磁控溅射箱式镀膜机 GT-900DZX

22) 功能薄膜特性测试仪 GTFC-1

23) 循环水冷却机组 GTCW-1

24) 微波等离子体实验装置 GT2004

25) 微波射流等离子体实验仪 GTAP

26) 磁镜场ECR微波等离子体装置

27) 电晕等离子体实验装置 GTCP-1

28) 光等离子体实验装置 H2005 H2006 

29) 等离子体诊断实验仪 GTPD-1

30) 直流溅射等离子实验仪 GTPS

31) 电感耦合等离子体实验仪 GTRP-1

32) 电容耦合射频等离子体实验装置

33) 微波光学实验仪GTMS-1

34) 微波光学综合试验仪 GTMS-1A

35) 全息照相实验仪GT6516

36) 光电传感器实验仪 GT-CGOP1

37) 光敏电阻特性实验仪GT6520

38) 新能源电池综合特性测试仪 GT-FUC

39) 新能源实验系统 GT-NE-1

40) 太阳能电池特性X测试仪GT6521

41) 声光效应激光超声光栅试验仪 GTSL-1

42) 光速测定仪 GTLV-1

43) 核磁共振实验仪GT2002

44) 夫兰克-赫兹实验仪GT4507

45) 普朗克常数测定仪GT-GD

46) 磁悬浮动力学实验仪GTSY-1

47) 巨磁电阻实验仪GT-GMR-2

48) 磁性液体表观密度测量仪CMC-Ⅲ

49) 磁浮力测量装置GTCD

50) 超导磁浮车演示装置GTCG

51) 光学实验仪GTSO-1

52) 光偏振试验仪 GTSO-2

53) 混沌电路与同步实验仪GT6501

54) 物理多功能实验系统GTYH-1

55) 热辐射与红外扫描成像装置 GTRH-1

56) 黑体红外辐射试验仪 GTRH-2

57) 电机特性测试仪 GTMF-1

58) 动静摩擦因数测试仪 GTKFC-1

59) 转动惯量杨氏模量试验仪 GT4605

60) 超声定位与形貌实验仪GT6001

61) 超声成像实验仪GT6002

62) 多普勒效应及声速实验仪 GT-DPL1

63) 物理设计性实验仪GT-SJ

64) 霍尔传感器杨氏模量测定仪 GTY-1

65) 动态法杨氏模量测定仪 GTY-2

66) 转动惯量测试仪 GT4601

67) 双光栅微弱振动测量仪GTGS-1

68) 音叉振动与共振试验仪 GT4615

69) 弦音实验仪ZCXS-A

70) 弦振动实验仪GT4618

71) 声速测定仪SV-GT/SVX

72) 固体声速测量装置 SVG

73) 相速、群速实验仪 GTPV-1

74) 声速大屏幕演示仪 SVD1

75) 声悬浮实验仪GTSF-1

76) 导热系数测定仪 YQF-1

77) 导热系数测试仪YBF

78) 热学试验仪 GTT-2

79) 比热容测定仪GT4603  4602

80) 变温液体沾滞系数测定仪 GT4606

81) 液体表面张力系数测定仪GT4607

82) 金属热膨胀系数测定仪GT4608A

83) 旋转液体综合试验仪 GT4609

84) 传感器实验台GT-CG2000

85) 亥姆霍兹线圈磁场实验仪 GT4501

86)  RLC实验箱 GT4502

87)  RLC试验仪 GT4503

88) 交流电路综合试验仪 GT4505

89) 电表改装与校准实验仪 GT4508

90) 磁阻效应实验仪GT4510

91) 冲击法螺线管磁场测定仪 GT4511

92) 霍尔效应组合实验仪GT4512

93) 地磁场水平分量测试仪 GT4515

94) 磁滞回线实验仪GT4516

95) 交流电桥实验仪 GT4518

96) 电子比荷测定仪GT4520

97) 电子束实验仪 GT4521

98) 伏安特性试验仪 GT6102

99) 组装式双臂电桥 GT6105

100) 赛电桥综合实验仪GT6108

101) 数字万用表设计实验仪GT6505

102) 数字电表改装实验仪GT6505A

103) PN结正向特性实验仪 GT-PN-1

104) 非平衡电桥GTQJ

105) 万能电桥 QS18A

〈1〉多功能内耗测试仪  GEP-100  GEP-200                                             

   内耗是指在一定的外部条件下(如温度、频率、振幅等), 材料内部缺陷和原子运动所引起的机械振动能量的耗散, 它对材料中缺陷的动力学行为非常敏感. 因此, 内耗测量可提供其它手段所不易提供的物理信息, 如缺陷浓度和分布、缺陷扩散激活能、相变动力学等. 特别地, 研究缺陷和结构演化等原子的动态行为及微观力学行为, 内耗技术是一个合适的、不可替代的手段. 

   在材料的内耗测量中, 最常用和最经典的测量装置是由中国科学院固体物理研究所我国著名金属物理学家葛庭燧院士(1913-2000)发明的“葛氏扭摆”. 利用该装置, 葛庭燧院士首次发现了由于晶界滑动而导致的晶界内耗峰——“葛氏峰”, 并以“葛氏峰”和“葛氏摆”等原创性工作, 在世界物理学史上留下了中国人的名字. 

   GEP-100  GEP-200多功能内耗测试仪就是基于“葛氏摆”基本原理, 与中国科学院固体物理研究所合作研发的. 可测量不同频率下材料的内耗-温度谱, 了解和掌握内耗的基本测试原理以及弛豫的动力学过程. 

可开设的实验

1、学会采用自由衰减法测量内耗的基本原理和具体方法; 

2、学会采用内耗-温度谱来测量高分子材料玻璃化转变过程的物理参数. 

主要技术参数

 工作温度: 室温～200℃; AI智能控温, 控温精度: ±1℃;

 片状试样(厚×宽×长): 1mm×2mm×(55～60mm) ; 

 中心磁感应强度: 90～120mT ; 

 对称摆杆两根, 长度120～160mm, 摆杆振幅0～10mm ; 

 电动激发, 振动频率0. 2～5Hz ; 

 内耗测量范围: 10-4～10-1

 GEP-100教学型: 含USB接口数据采集仪, 数据采集软件, 不含计算机; 

 GEP-200教学研究型: 含专用高速数据采集仪, 数据采集与测量软件, 品牌台式计算机

出厂价:

GEP-100型   ￥97920.00元  (需另配计算机); 

GEP-200型   ￥138960.00元 (含品牌台式计算机)

〖返回〗

〈2〉真空实验仪  GT2010                                                              

GT2010真空实验仪是一个真空实验平台, 能够很直观反映真空获得的全过程.  由真空获得部分、真空镀膜机构和电控及仪表等部分组成, 结构合理, 运行安全可靠, 适合于对学生开展真空实验教学. 

实验项目    1、真空的获得与测量; 2、蒸发法薄膜制备; 

主要特点

 设备的真空反应室、油扩散泵、真空管路部件全透明; 

 电气控制有安全防护, 防止误操作对操作人员和设备造成的损伤; 

 管路采用不锈钢与真空橡胶管结合, 电控双向截止阀, 真空室内有烘烤除气设备; 

 一机多用的功能, 针对高�？�展综合性、设计性和开放性实验的要求, 预留有大空间的真空室, 在配置一些组件后, 就能方便开设其他扩展实验项目

主要参数

 真空室: 304不锈钢底盘和玻璃钟罩组成, 尺寸: Φ230×260mm;

   抽气系统: GT2010/ GT2010A型: 2XZ-4机械泵+四级玻璃扩散泵, 需水冷; 

GT2010F型: 2XZ-4机械泵+FF100/110分子泵; 风冷; 

 极限真空: GT2010/ GT2010A型: 9. 6×10-4Pa; 恢复真空: 5×10-3Pa＜40分钟; 

GT2010F型: 8×10-5Pa; 恢复真空: 2×10-3Pa＜40分钟; 

 基本配置: GT2010: 蒸发电极一对, 蒸发功率: AC10V/150A; 衬底加热、烘烤除气;  

GT2010A /GT2010F: 蒸发电极一对, 蒸发功率: AC10V/150A; 衬底加热、烘烤除气; 带直流溅射系统. 

 真空测量: 数显复合真空计; 

 衬底温度: 室温～300℃(PID控温); 

 工作电压: AC220V±5%, 50Hz;    整机功率: 3kW; 16A插座; 

 环境要求: 温度低于30℃,  湿度≤70％; 

 用户需自备或选购冷却水系统. 

出厂价

GT2010 

GT2010A  GT2010F

￥119232. 00元  需另配循环水冷却机组

￥146880. 00元  需另配循环水冷却机组

￥198720. 00元 含玻璃真空室、机械泵、分子泵

〖返回〗

〈3〉真空镀膜机 GT450                                                                

   GT450真空镀膜机适用于在塑胶、玻璃、陶瓷等材质的工件上镀制金属膜、装饰膜、硬质膜、金刚膜、或光学膜等科研与生产工作. 

主要技术参数

 真空室: 镀膜室尺寸: Φ450×540mm; 

结构: 箱式前开门结构, 后置抽气系统, 手动推拉式; 

观察窗: 镀膜室门上配有Φ100mm观察窗; 

 真空系统: 

GT450ZZK  2ZX-8直联机械泵+ K-200扩散泵; 

GT450ZZF  2ZX-8直联机械泵+ FF-160/620分子泵; 

 蒸发组件: 水冷电极2对, 功率: 3KW/10V; 

 控制方式: 手动按键式; 

 旋转夹具: 球面拱形夹具, 0～30r/min可调; 

 工件烘烤: 室温～300℃(PID控制); 

 极限真空: GT450ZZK 2×10-4Pa; GT450ZZF 8×10-5Pa; 

 恢复真空: GT450ZZK 2×10-3Pa; GT450ZZF 8×10-4Pa; 

 真空测量: 数显复合真空计; 

 选配件: 石英晶振膜厚测控仪、高压离子轰击

 用户需自备或选购冷却水系统. 

出厂价:  

GT450ZZK(标配)

GT450ZZF(标配)

￥237660. 00元;

￥352800. 00元

〖返回〗

〈4〉电子束蒸发镀膜装置 GTBP-1                                                      

GTBP-1电子束蒸发镀膜装置主要采用环形灯丝电子枪实现电子束蒸发实验, 具有结构简单、直观易操作等优点, 蒸发材料可以是金属, 也可以是非金属材料, 主要用来开设电子束蒸发实验课程, 亦可以满足科研镀膜需要. 

主要参数

 薄膜沉积室:由不锈钢底盘与不锈钢钟罩组成

 蒸发电源:高压电源、灯丝电源各1台; 电子枪:采用环形灯丝电子枪

 真空系统:旋片机械泵和扩散泵组成(可选配分子泵); 

 极限真空:6. 6×10-4Pa; 真空测量方式:数显复合真空计, 测量范围从大气到10-5Pa

 抽速:从大气抽到10-3Pa; 小于50分钟

 供电电源:AC220V, 50Hz; 整机功率3KW

 对扩散泵、电极等缺水、过流过压、断路等异常情况进行报警, 并执行相应�；ご胧�

出厂价: GTBP-1  ￥259800. 00元  另配分光光度计、超声波清洗机等

〖返回〗

〈5〉电子束蒸发镀膜机  GT-500ZZS                                                     

GT-500ZZS电子束蒸发镀膜机适用于制备导电薄膜, 半导体薄膜、铁电薄膜、光学薄膜, 高性能薄膜研究及新材料科学研究工作. 其主要特点为功能强、镀膜质量稳定、重复性好、操作简便. 

主要参数

 镀膜室体积:500×500×600mm, 特殊规格可定做

 极限真空度:6.7×10-5 Pa, 

恢复真空:从大气抽至6. 7×10-4 Pa ≤(40分钟)

 真空抽气系统: 机械泵与复合分子泵组成; 

真空测量系统: 复合数显真空计

 电子束蒸发源:270°E型电子枪及高压电源, 电子枪功率0～6KW可调电阻蒸发源:铜水冷电极4根, 功率:3kW/10V两组

 结构形式:立式前开门后置抽气系统

 工件烘烤温度:室温～800℃可控可调(PID控温)

 旋转夹具:公转或行星公自转夹具. 速度从 0r～30r/min 无级可调

 选配件:光学膜厚测量系统、石英晶振测厚仪、高压离子轰击、霍尔离子源、冷却水机组等

 供电电源:三相AC380V, 50Hz; 整机功率22KW

出厂价: GT-500ZZS  ￥740160. 00元  视配置而定

〖返回〗

〈6〉GTDM系列直流磁控溅射镀膜装置                                                   

   GTDM系列直流磁控溅射镀膜装置具有结构简洁、操作简单、实验过程清晰等特色, 非常适合学校教学科研工作. 装置主要由溅射镀膜室、抽气系统、气路系统、衬底加热温度控制系统、溅射电源等部分组成. 射频磁控溅射具有沉积速率高, 溅射材料类型多的特点, 如半导体和介质等材料. 

可开设的实验

 掌握磁控溅射法制备薄膜的基本原理; 

 了解磁控溅射镀膜设备的操作过程及使用范围; 

 磁控溅射法制备金属膜、半导体膜、化合物膜、介质膜等薄膜.

主要技术参数

 溅射镀膜室: GTDM-1不锈钢底盘与玻璃钟罩组成; 其余采用不锈钢真空室; 

 溅射电源: GTDM系列: 直流200～700V, 功率0～1000W可调; 

 磁控靶: Φ50 mm, 溅射靶台和磁控靶可调距离: 20～60 mm; 

 衬底温度: 室温～300℃可调可控; 除GTDM-1型外其余系列衬底可旋转; 

 气路系统: 二路转子流量计或二路质量流量计;

 真空系统: GTDM-1  2XZ-4机械泵, 速率: 4L/S, AC220V供电; 

GTDM-2  2XZ-2机械泵+K-100扩散泵; 

GTDM-3  2XZ-2机械泵+F100/110分子泵;

 极限真空: GTDM-1  6. 7×10-1 Pa;  

GTDM-2  5×10-4 Pa; 

GTDM-3  8×10-5 Pa;

 恢复真空: GTDM-1  2 Pa; 

GTDM-2  5×10-3 Pa; 

GTDM-3  8×10-4 Pa;

 用户需自备或选配: 

冷却水系统、氩气(99. 99%)、靶材等.

出厂价:

GTDM-1

GTDM-2

GTDM-3

￥170208. 00

￥204480. 00元

￥309600. 00元

〖返回〗

〈7〉射频磁控溅射镀膜装置GTRM                                                      

GTRM射频磁控溅射镀膜装置主要由溅射镀膜室、真空抽气系统、气源进气调节系统、衬底加热温度控制系统、射频电源等部分组成. 由于磁控溅射能够精确地控制工艺参数和提高膜层附着力、密度及均匀性, 已成为沉积薄膜的重要方法之一, 射频磁控溅射具有沉积速率高, 可以溅射任何材料, 包括导体、半导体和介质材料等特点. 由于在低气压下溅射, 因此膜层致密、针孔少、纯度高. 

主要参数

 溅射镀膜室:由不锈钢底与玻璃钟罩组成; 有效尺寸:Φ220×H230mm

 溅射镀膜室本底真空:≤1Pa; 溅射腔极限真空:6×10-1Pa

 溅射靶:Φ50mm, 溅射靶台和溅射靶可调距离:20～60mm

 基片加热温度可控范围:室温～300℃

 射频源功率:500W, 13. 56MHz

 气路系统:由两路转子流量计控制(可选配质量流量计)

 真空系统:2XZ-4型旋片真空泵, 抽气速率:4L/S, 单相220V交流电源供电

 对过流过压、断路等异常情况进行报警, 并执行相应�；ご胧�

 供电电源:AC220V, 50Hz, 整机功率2KW

实验项目

1、掌握射频磁控溅射法制膜的基本原理

2、了解磁控溅射镀膜仪的操作过程及使用范围

3、磁控溅射法制备金属膜、半导体膜、化合物膜、介质膜等薄膜

出厂价 

GTRM-1

GTRM-2

GTRM-3

￥218880. 00     含机械泵、二路转子或质量流量计、电阻真空计、射频电源等

￥251712. 00元   含机械泵、金属扩散泵、质量流量计、流量显示仪、复合真空计、射频电源等

￥352880. 00元   含机械泵、分子泵、质量流量计、流量显示仪、复合真空计、射频电源等

〖返回〗

〈8〉多靶磁控溅射镀膜机 GT-500JJC                                                    

   可用于制备纳米级和微米级的单层及多层功能膜-各种硬质膜、光学膜、金属膜、铁磁薄膜、半导体膜、介质膜和氧化物薄膜等. 

主要参数

 抽气系统: 机械泵+复合分子泵

 镀膜方式: 可实现多靶共溅模式

 溅射电源: 直流/中频/射频

 磁控靶: 圆柱靶/平面靶

 进气系统: 三路质量流量计

 镀膜室尺寸: 500×500×600mm 

 极限真空: 6. 7×10-5Pa

出厂价: GT-500JJC  ￥791712. 00元

〖返回〗

〈9〉微波CVD薄膜制备装置 GT2008                                                    

   微波CVD薄膜制备装置由微波源、真空系统、供气系统、微波传输及微波谐振腔等部分组成. 适合于大学近现代物理、材料、化学等领域进行微波CVD原理与方法的教学、研究, 以及金刚石与类金刚石薄膜的制备实验及科学研究. 

主要技术特点

    一般的理论性验证的微波CVD设备, 往往实际成膜困难或成膜品质很难控制. 本装置融入了金刚石薄膜制备领域多位专家二十多年的深厚经验, 性能优异, 具有多项独特技术, 适应性广, 有多种技术规格的系列产品可供优选. 经北京大学等多家国内著名高校使用与验证, 能高效地运用微波CVD法制备与生长金刚石薄膜, 及碳纳米管、氮化硅、碳化硅等超硬膜. 具有生长速度快、操作简便、性价比高等优点. 

主要技术参数

 薄膜沉积室: Φ50×H300 mm石英玻璃真空室; 

 微波功率: 0～800 W连续可调输出; 

微波传输模式: TE10模式模式传输; 

 进气系统: 

GT2008 : 二路质量流量计; 

GT2008A/ GT2008K/ GT2008F : 四路质量流量计;

 恢复真空: GT2008/ GT2008A : 2Pa;

 真空系统: 

GT2008  GT2008A : 2XZ-4机械泵, 速率: 4 L/S, AC 220 V供电; 

GT2008K: 2XZ-4机械泵+K-50扩散泵; 

GT2008F: 2XZ-4机械泵+F100/110分子泵; 

 极限真空: 

GT2008/ GT2008A : 6. 7×10-1 Pa; 

GT2008K : 5×10-3 Pa; GT2008F: 5×10-4 Pa;

GT2008K : 9×10-3 Pa; GT2008F : 2×10-4 Pa; 

 真空测量: GT2008/ GT2008A : 数显电阻真空计; 

GT2008K/ GT2008F : 数显复合真空计. 

出厂价:

GT2008

GT2008A

GT2008K

GT2008F

￥166320. 00元;  

￥227520. 00元; 

￥252000. 00元; 

￥309600. 00元

〖返回〗

〈10〉GTDP射频CCP薄膜沉积装置   GTIP射频ICP薄膜沉积装置                       

GTDP射频CCP薄膜沉积装置 GTIP射频ICP薄膜沉积装置主要由薄膜沉积室、真空抽气系统、气源进气调节系统、衬底加热温度控制系统等部分组成. 

通过GTDP射频CCP薄膜沉积装置 GTIP射频ICP薄膜沉积装置可以掌握CVD(化学气相沉积); 理解CVD的成膜过程及要求, 化学输运反应的原理, 等离子体CVD的原理、特点及等离子体的激励方式; 了解该技术在电学、光学、微电子学等领域的广阔应用前景. 

实验项目

1、P型微晶硅材料及在薄膜太阳能电池上的应用

2、硅系纳米复合薄膜材料PCVD法制备

3、电容耦合/电感耦合等离子体化学气相沉积制备各种功能薄膜

主要参数

 薄膜沉积室:由不锈钢底与玻璃钟罩组成; 有效尺寸:Φ220×H230mm

 薄膜沉积室本底真空: ≤1Pa

 射频耦合方式:电容耦合/电感耦合; 射频源功率:带500W  13. 56MHz

 气路系统:由三路转子流量计控制(可选配质量流量计)

 衬底加热温度:室温至300℃可控

 平行板电极:Φ70mm

 工作反应气体:由电极板上微孔均匀导入

 真空抽气系统:2XZ-4型旋片机械泵, 4L/S, 220V供电

 管道、阀门:材质使用不锈钢和金属波纹管

 对过流过压、断路进行报警, 并执行相应�；ご胧�

 供电电源:AC220V, 50Hz, 整机功率2KW

出厂价 

GTDP-1

GTDP-2

GTDP-3

GTIP-1

GTIP-2

GTIP-3

￥204480. 00    含机械泵、三路转子或质量流量计、电阻真空计、射频电源等

￥247680. 00    含机械泵、金属扩散泵、复合真空计、射频电源、三路质量流量计等

￥349920. 00    含机械泵、分子泵、复合真空计、三路转子或质量流量计、电阻真空计、射频电源等

￥208800. 00    含机械泵、转子流量计、电阻真空计、射频电源等

￥253440. 00    含机械泵、金属扩散泵、复合真空计、射频电源、三路质量流量计等

￥293328. 00    含机械泵、分子泵、复合真空计、射频电源、三路质量流量计等

〖返回〗

〈11〉热丝等离子体薄膜沉积实验装置                                                    

GTHF-1  ￥238464.00

〖返回〗

〈12〉电弧真空等离子体镀膜实验装置                                                    

GTLD-1  ￥269800.00

〖返回〗

〈13〉钨极电弧真空熔炼炉ISSP-AMF                                                    

ISSP-AMF钨极电弧真空熔炼炉由真空机组、真空室、电弧枪、熔炼电源、铜坩埚、水冷设备及测量系统等组成.  主要用于熔炼钼等难熔金属和钛、铌、锗等活泼金属.   此外还可以熔炼铁基、镍基、钴基等合金材料以及金属碳化物、硅化物和各类难熔金属间化合物.  

实验项目

1、制备金属硅化物, 如MoSi2, Fe-Si体系等; 
2、制备合金和金属间化合物, 如Ni3Al, Fe-Al等; 
3、熔炼钼等难熔金属, 熔炼钛、铌、锗等活泼金属.  

主要参数及性能

 电源: AC220V, 50/60Hz; 额定工作电流: 160A; 
 电极直径: φ5mm; 电极长度: 12mm; 
 极限真空度: 1. 33Pa; 
 冷却水流量: 2m3/h; 
 �；て�氛: 氩气; 
 一次熔炼样品个数: 7; 
 每孔熔炼总量: 5～20g .  

主要特点

 用于探索新材料的研究, 可用于熔点高达2500℃的金属合金(金属固熔体, 金属间化合物等)的配制; 也可用于海面态金属、金属粉末及微小颗粒金属熔炼成块体致密金属.  其最大优点是熔炼过程中对样品不产生污染(其他熔炼方法大多会产生坩埚材料对样品的污染); 

 既可制备金属硅氧化物, 又可制备合金和金属间化合物; 

 可以进行高温、高速熔化, 从而可以熔炼多种难熔金属和活泼金属; 

 采用抽真空结合�；て�氛, 既可以抽真空, 又可以通入不同的气体; 

 在抽真空后充入惰性气体, 既可保持电弧的稳定, 又可防止难熔金属特别是活泼金属的发挥, 而使金属成分稳定到精炼的目的.  

出厂价 

ISSP-AMF1

ISSP-AMF2

ISSP-AMF3 

￥290880. 00元   含真空机组及测量系统、真空室、电弧枪、熔炼电源、水冷铜坩埚、机械手组件等

￥342720. 00元   增加吸铸功能, 含一个吸铸工位及Ф3/Ф6两个孔径的浇铸模具

￥411840. 00元   含吸铸功能, 采用分子泵真空系统

〖返回〗

〈14〉气氛热处理程控高温炉  ISSP-HTF                                                 

气氛热处理程控高温炉ISSP-HTF是为高等院校和科研院所进行材料制备而研制的专用设备.   装置由炉体、真空系统、温度控制系统等组成.  

实验项目

1、用气相传输法材料合成及制备纳米材料, 如ZnO, CdS等
2、溶液法制备薄膜, 如制备庞磁电阻薄膜, 制备高温超导薄膜等
3、固相反应法材料合成: 在大气、真空或气氛�；は陆�行各种材料的热处理

主要特点

 采用抽真空和�；て�氛相结合, 既可以抽真空, 又可以通入不同的气体, 可满足氧化物和非氧化物的气氛热处理

 采用特殊的炉膛保温材料, 具有密度小, 保温性能好等特点

 特别的高温热处理范围, 突破1300℃的常规温度, 可达1550℃

 采用程控温度, 实现智能化; 适合于气相传输法制备各类纳米材

 可以根据用户特殊要求进行个性化设计

主要参数及性能

 电源: AC220℃, 50/60Hz; 

 额定功率: 5KW ;

 炉膛尺寸:φ40mm×980mm, φ60mm×980mm; 

 加热区尺寸: 220mm, 恒温区尺寸: 100mm; 

 温控范围: 100～1600℃, 精度: ±1℃, 升温速率: 10℃/min ;

 报警�；�:上、下限, 正、负偏差, 断偶等报警 ;

 质量: 约150kg

制备的庞磁电阻薄膜

制备的Cds纳米线阵列

出厂价:

GT-ISSP-HTF

GT-ISSP-HTF-A

￥120960. 00元  含温控系统、真空系统、φ3、如需配质量流量计另加7800元/路

￥146880. 00元  含温控系统、真空系统、φ60炉膛、如需配质量流量计另加7800元/路

〖返回〗

〈15〉单晶炉ISSP-SHF                                                                

ISSP-SHF单晶炉由温度控制系统、真空系统和单晶炉炉体等部分组成, 是为高等院校和科研院所单晶生产而研制的专用设备.  

实验项目

1、制备金属氧化物类单晶, 如SrMoO3等; 

2、制备氧化物高温超导体, 如钇钡铜氧等; 

3、制备非氧化物单晶, 如单晶硅、单晶碳化硅等; 

4、在1550℃以下大气、真空或气氛�；は陆�行单晶生长、材料热处理、固相反应材料合成等.

用助溶剂法生长的SiC单晶

用助溶剂法生长的SrMoO4单晶

主要技术特点

 一机多用, 可开设多个综合性、研究性实验: 既可制备氧化物类单晶, 又可制备非氧化物类或厌氧类单晶, 具有很高的性能价格比; 

 特殊炉膛保温材料, 具有密度小, 保温性能好等特点; 

 采用抽真空结合�；て�氛, 既可以抽真空, 又可以通入不同的气体; 

 最高温度可达1550℃; 

 温度梯度: 约5℃/cm; 

 温度采用程序控制, 实现智能化. 

主要参数及性能

 电源: AC220V, 50/60Hz; 
 额定功率: 5kW; 
 炉膛尺寸: φ185mm×φ185mm; 
 加热区尺寸: 150mm; 
 温度范围:100～1600℃, 精度: ±1℃, 升温速率: 10℃/min; 
 报警�；�: 上、下限, 正、负偏差, 断偶等报警; 
 质量: 约50kg.  

出厂价:  

GT-ISSP-SHF

GT-ISSP-SHF-A

￥120960. 00元

￥146880. 00元

〖返回〗

〈16〉箱式炉 GT-1100X                                                                

出厂价:GT-1100X   ￥48380.00元

〖返回〗

〈17〉真空退火炉 GT-AF300                                                            

GT-AF300真空退火炉主要实现在高真空气氛中对材料进行热处理, 它是一种具有高精度、高稳定性、高可靠性、长时间连续工作的设备. 广泛应用于各种材料、器件的热处理. 

主要技术参数: 

 真空腔室: Ф350×H300mm不锈钢双层水冷, 顶开盖; 

 炉膛尺寸: Ф100×H100mm; 

 等温区尺寸: Ф100×H50mm; 

 加热温度: 室温～800℃; 

 控温方式: 采用精密人工智能温度控制器, 0. 2级精度, 具有可编程�？榛�输出, 具有30段时间程序控制功能, 用户可自行设定不同的程序进行控制;

 真空系统: 机械泵+扩散泵二级真空系统; 

 极限真空: 5×10-4Pa; 

 控制方式: 手动操作; 

 工艺方式: 可充入惰性气体�；�; 

 �；�:设备具有断水、过流、过压等�；ぷ爸眉暗缙�联锁功能; 

 选购件: 冷却循环水机, 真空气体压缩机等.

出厂价: GT-AF300  ￥180000. 00元

〖返回〗

〈18〉超声雾化热解喷涂设备  GT-US                                                    

    GT-US声雾化热解喷涂设备是一款薄膜沉积设备, 可用于制备单元氧化物、多元氧化物、I-VI、IIV-VI、III-VI、IV-VI、V-VI双元硫族化合物、三元硫族化合物薄膜制备. 如ZnO、SnO2、MgO、NiO、Cr2O3、TiO2、CdS、CdTe、CdxZn1-xS、Cu2ZnSnS4等. 适合物理、材料、微电子类专业开展专业基础实验、专业实验、开放实验和学生毕业论文、科研工作. 

    GT-US声雾化热解喷涂设备由超声雾化器、薄膜沉积室、管路组件、控制组件等部分构成. 采用不锈钢制造, 薄膜样品污染程度小. 

主要技术参数: 

 反应室: 

GT-US100: Ф100×H150mm; 双层水冷不锈钢腔体; 

GT-US200: Ф200×H300mm; 双层水冷不锈钢腔体; 

GT-US300: Ф300×H300mm; 双层水冷不锈钢腔体; 

 雾化室工作频率: 

GT-US100: 1. 7MHz、功率: 200W; 数量: 1个; 

GT-US200: 1. 7MHz、2. 0MHz、2. 4MHz(可设), 功率: 300W; 数量: 1个; 

GT-US300: 1. 7MHz、2. 0MHz、2. 4MHz(可设), 功率: 300W; 数量: 2个; 

 衬底温度: RT-800℃; 采用精密人工智能温度控制器; 

 采用压缩空气、氮气、氧气、Ar气载气; 

 设备自带循环水系统; 

出厂价:  

GT-US100

GT-US200

GT-US300

￥74880. 00元; 

￥108000. 00元; 

￥141120. 00元;

〖返回〗

〈19〉贵金属溅射台 GTPM-1                                                            

出场价:  GT-PM-1  ￥89600.00元

〖返回〗

〈20〉激光单晶定向仪 GT6510                                                          

出场价:  GT6510  ￥9800.00元;

〖返回〗

〈21〉电弧 磁控溅射箱式镀膜机 GT-900DZX                                             

出场价:  GT-900DZX  ￥1468800.00元;

〖返回〗

〈22〉功能薄膜特性测试仪 GTFC-1                                                      

   GTFC-1功能薄膜特性测试仪由四探针测试仪和非晶硅薄膜电导率测量仪组成. 

   四探针测试仪由主机、测试架等部分组成, 测试结果由数字表头直接显示. 主机主要由高灵敏度直流数字电压表和高稳定度恒流源组成. 测试探头采用宝石导向轴套和高耐磨碳化钨探针制成, 故定位准确、游移率小、寿命长. 

   非晶硅薄膜电导率测量仪由样品室、温控系统、真空系统、高阻测量系统等部分组成. 仪器具有测量精度高、灵敏度高、稳定性好、测量范围宽、结构紧凑、使用方便等特点. 仪器适用于半导体材料厂、半导体器件厂、科研单位、高等院校对半导体材料的电阻性能的测试. 

主要技术参数

 测量范围: 电阻率: 0. 001～200Ω. cm;  方块电阻: 0. 01～2000Ω/□; 电导率: 0. 005～1000 s/cm; 电阻: 0. 001～200Ω. cm 

 可测晶片直径: 200mm×200mm 

 探针间距: 1±0. 01mm; 针间绝缘电阻: ≥1000MΩ; 机械游移率: ≤0. 3%; 探针: 碳化钨或高速钢Ф0. 5mm 探针压力: 5～16牛顿(总力) 

 恒流源: 电流量程分为0. 1、1、10、100(mA)四档, 各档电流连续可调. 误差<±0. 5%

 数字电压表量程: 0～199. 99mV; 分辨率: 10μV, 输入阻抗>1000MΩ; 精度: ±0. 1%

 本底真空度: ≤10Pa; 气压可控范围: 10～400Pa 

 衬底加热温度: 室温～200℃

 指针式高阻计: 电阻测量范围: 1×106～1×1017Ω, 精度: ±10%; 微电流测试: 1×10-5～1×10-14A; 精度: ±20% 

额定电压: 10、100、250、500、1000V; 精度: ±5%

出厂价: GTFC-1  ￥59760. 00元;  指针式高阻计  ￥0. 00元

〖返回〗

〈23〉循环水冷却机组 GTCW-1                                                         

出厂价: GTCW-1  ￥25344.00元

〖返回〗

〈24〉微波等离子体实验装置 GT2004                                                    

自然界中物质的形态除了固、液、气三种形态之外, 还存在第四态, 即等离子体状态. 等离子体的产生过程为: 固体物质在受热的情况下熔化成液体, 液体进一步受热后变成气体, 气体进一步受热后, 中性的原子和分子电离成离子和电子, 形成等离子体.  由于等离子体中含有大量具有高能量的活性基团, 这使得等离子体能够参与或发生许多不同的化学或物理反应.  
        GT2004微波等离子体实验装置由微波源、真空系统、供气系统、冷却水系统、微波传输及微波谐振腔组成; 由微波源产生的频率为2. 45GHz的微波, 沿矩形波导管传输, 经过调整短路活塞, 最后在水冷谐振腔反应室内激励气体形成轴对称的等离子体球.  

可开设的实验

在基材(如硅片)上完成微波等离子体化学气相沉积法制备各种功能薄膜材料(如BN薄膜、金刚石薄膜、氮化碳薄膜等)、微波等离子体刻蚀加工实验、材料表面改性、微波等离子体清洗材料表面、微波等离子体化学合成等实验; 适合大学物理、材料、化学等领域的学生实验及教师科学研究.  培养学生掌握等离子体技术的应用.   

主要特点

 无内部电极, 可避免放电污染, 运行气压范围宽, 能量转换效率高, 可产生大范围的高密度等离子体.  
 设有垂直交叉的两个方向的透明观察窗, 可直观观察等离子体的放电特性.  
 微波等离子体刻蚀精度达到亚微米级.  制备各种功能薄膜材料的速率较快.  

主要参数及性能

 微波源: 功率0～800W连续可调输出; 

 真空系统: 采用旋片真空泵, 单相220V交流电源, 极限真空6×10-1帕, 抽速2升/秒; 真空计采用数显压阻式真空计和热偶真空计联合作用, 用于测量本底真空和工作时的工作气压.  真空密封采用金属和橡胶密封; 真空调节采用隔膜阀粗调和微调阀精细调节, 调节快速方便、稳定性好. 

 供气系统: 有两路独立供气气路, 通过转子流量计控制流量.  

 自带冷却水循环系统形成冷却水.  制冷系统可保证冷却水温度在30度以下, 无水源要求. 

 微波传输及微波谐振腔: 配有环行器、水负载和三螺钉阻抗调配器, 可保证微波源的安全工作; 配有微波反射测量系统, 保证等离子体最大限度地吸收微波能.  反应室工作压强: 几帕～十千帕; 反应室极限压强: 6×10-1帕; 真空反应室石英管腔体尺寸: Φ50mm; 基片温度范围: 200～1000℃; 电磁波功率: 0～800W; 接地线＜3Ω.  

出厂价: GT2004   ￥139800. 00元  需另配光学显微镜、超声波清洗机、气源.  随机配备基材、金刚石微粉

〖返回〗

〈25〉 微波射流等离子体实验仪 GTAP                                                    

微波源产生2.45GHz的电磁波, 沿矩形波导管传输, 在谐振腔内特别设计的微波天线及其喷嘴正上方的波导开孔处击穿气体放电, 产生常压微波等离子体射流(Microware Plasma Jet, MPJ).  装置适合大学物理、材料、化学等领域的学生实验, 培养学生掌握等离子体物理及其技术的应用, 或作为科学研究之用.  

实验项目

1、MPJ分解处理各种废气, 如SO2、NOx、有机硅、甲醛、含苯环的烃类; 

2、MPJ制备纳米材料, 如纳米管、ZnO、Al等; 

3、MPJ材料表面清洗及改性、MPJ材料加工等实验; 

4、MPJ光谱分析(需配备光谱仪).  

主要性能

 在常温常压下和开放的空气中自激发放电产生等离子体, 不需要真空系统, 对放电气体的种类没有限制 ;

 MPJ激发放电从喷嘴的尖端处开始, 且与喷嘴无直接接触, 使喷嘴的温度相对较低, 从而喷嘴腐蚀的问题可以忽略不计; 

 不存在电极, 可以处理金属和非金属等任意的材料, 不受被处理材料是否导电的限制, 同时避免传统等离子体射流的电极放热和蒸发

腐蚀污染的问题; 

 独特的放电结构设计, 使能量集中在放电等离子体中, 喷嘴及谐振反应腔不需要专门冷却; 

 由1KW微波源、环形器、水负载、三螺钉阻抗调配器、谐振反应腔、微波反射测量系统等组成; 等离子体射流中心温度最高可达数

千度. 本装置需另配粒度分析仪、气源等. 随机配备与具体实验相关的其他材料. 

出厂价  

GTAP-1

GTAP-2

￥131040. 00元   需另配粒度分析仪、气源等

￥146800. 00 元  需另配光谱仪、显微硬度测量仪、气源等

〖返回〗

〈26〉磁镜场ECR微波等离子体装置                                                     

出厂价  GTEP-1  ￥698760.00元

〖返回〗

〈27〉电晕等离子体实验装置 GTCP-1                                                    

出厂价  GTCP-1  ￥62340.00元

〖返回〗

〈28〉光等离子体实验装置 GT2005  GT2006                                             

   GT2005  GT2006光等离子体实验装置包括可拆卸的气体放电管、测量系统、真空系统、进气系统和水冷系统等部分组成. 工作气体、工作气压、电极距离等参数均可灵活地加以单独或组合调控, 从而利用该装置可以系统了解等离子体的激发原理, 研究工作气压、气体种类等因素对等离子体的影响, 不仅可以开设多个验证性实验, 而且可以开设研究性和综合性实验, 以提高学生独立分析问题的能力. 

可开设的实验

1、汤森第一电离系数a及比值a/p的测定; 

2、直流低气压放电现象观察及伏安曲线的测量; 

3、气体击穿电压的测定及帕邢定律验证实验; 

4、等离子体电子温度和浓度的测量等实验. 

主要技术参数

 GT2005: 放电管内径: Ф45mm, 长度: 200mm, 电极距离: 30～180mm可调; 

GT2006: 放电管内径: Ф45mm, 长度: 300mm, 电极距离: 30～280mm 可调; 

 作气压: 10Pa～200Pa可调; 

 作电压: DC 0V～1500V可调; 

 电电流: 10-6A～0. 5A 可测; 

 H2006增加磁场线圈、可调磁控恒流源(0～3A)

可拆卸的气体放电管, 电极距离可调

出厂价:

GT2005

GT2006

￥73440. 00元

￥100224. 00元

〖返回〗

〈29〉等离子体诊断实验仪 GTPD-1                                                     

GTPD-1等离子体诊断实验仪与直流辉光等离子体实验装置相比, 实验仪侧重于进行等离子体的诊断实验, 如等离子体电子温度和浓度的测量等实验.  

主要特点

 放电管内径: φ25mm; 放电管长度: 300mm; 
 电极距离: 30～290mm可调; 
 工作气压: 10Pa～300Pa可调; 
 工作电压: 0V～1500V连续可调; 
 放电电流: 10-6A～0. 5A可测; 
 放电极板可更换.  

出厂价  GTPD-1  ￥65664. 00元

〖返回〗

〈30〉直流溅射等离子实验仪  GTPS                                                     

 GTPS直流溅射等离子实验仪包括可拆卸的溅射腔体、溅射靶台、真空抽气系统、测量系统、进气系统等部分组成. 

GTPS直流溅射等离子实验仪采用同轴二极溅射结构, 在真空室内以沉积材料为阴极, 加工样品为阳极, 工作期间两极间加直流电压引起放电, 放电气体中的离子被加速轰击靶面, 溅射粒子沉积在基片表面成膜. 

可开设的实验

1、光学薄膜材料的制备及其光学特性的测量; 

2、金属薄膜的制备实验; 

3、理解直流溅射原理, 掌握直流溅射薄膜材料的工艺方法. 

主要技术特点

 溅射靶台和溅射靶距离可调节, 研究在不同距离时对薄膜溅射的影响; 

 溅射基片可进行加热, 加热温度可控, 研究基片温度对薄膜溅射的影响; 

 溅射气压、溅射气源流量可调节, 研究不同气压、气源流量对薄膜溅射的影响; 

 反应腔体采用石英玻璃管, 可直观地观察到溅射现象; 

 工作气体可调节更换, 并可多路气体混合工作. 

 主要技术参数

 溅射腔体外形尺寸: GTPS-1: Ф140mm×150mm; 

GTPS-2: Ф100mm×130mm; 

 溅射靶台: GTPS-1: Ф70×20mm; 

GTPS-2: Ф40, 可同时放6个样品; 

 GTPS-1: 基片加热温度可控范围: 室温～80℃; 

 溅射气压可调范围: 10～200 Pa; 

 溅射电压: 0～1500V连续可调, 溅射电流: 0～200mA可调; 

 气源流量可控范围: 6～60ml/min; 25～250 ml/min; 

 供电电源: AC 220V, 50 Hz. 

原子力显微镜(AFM)测量

描电子显微镜(SEM)测量

出厂价:

GTPS-1

GTPS-2 

￥81792. 00元;

￥63072. 00元

 〖返回〗

〈31〉电感耦合射频等离子体实验仪 GTRP-1                                             

GTRP-1电感耦合射频等离子体实验仪将射频源产生的频率为13. 560MHz的射频功率电磁波, 加至反应容器外面的电感线圈, 用电感耦合方式耦合到工作气体中, 使其放电产生等离子体.  这种方式具有放电效率高、无电极放电污染的特点, 并可以获得纯净的等离子体.  装置适合大学物理、材料、化学等领域的学生实验, 培养学生掌握等离子体物理及其技术的应用, 或作为科学研究之用.  

实验项目

 等离子体消毒灭菌实验, 如大肠杆菌(8099)、金黄色葡萄球菌(ATCC6538) 

 等离子体材料表面改性实验, 如纸张亲水性、纸张接触角 

 等离子体材料表面清洗实验

 等离子体聚合实验

主要性能

 反应室工作压强: 5～1000Pa; 反应室石英管腔体尺寸: Φ80mm×180mm ;

 由500W射频源、放电腔体、气源调节系统、真空系统等组成, 射频频率: 13. 560MHz; 

 设有透明观察窗, 可直观观察等离子体的放电现象及特性 ;

 真空系统:采用旋片真空泵, 单相220V交流电源, 极限真空6×10-1帕, 抽速4升/秒; 

 供气系统: 有两路独立供气气路, 通过转子流量计控制流量; 

 可以处理金属和非金属等任意的材料, 不受被处理材料是否导电的限制, 同时避免电极大量放热和蒸发腐蚀污染的问题. 

出厂价  GTRP-1  ￥138240. 00元  含机械泵、转子流量计、电阻真空计、射频电源等

〖返回〗

〈32〉电容耦合射频等离子体实验装置                                                    

出厂价  GTRC-1  ￥129980.00元

〖返回〗

〈33〉微波光学实验仪 GTMS-1                                                         

GTMS-1微波光学实验仪采用类似光学分光计的设计思想, 成套仪器由三厘米微波信号源、固态微波振荡器、衰减器、隔离器、发射喇叭、接收喇叭、检波器、检波信号数显器、可旋转载物平台和支架, 以及其他实验用附件(发射板、分束板、单缝、双缝、晶体模型等)等组成. 

实验项目

1、了解与学习微波产生的原理以及传播和接收等基本特性; 
2、进行微波干涉、衍射、偏振等实验; 
3、微波的迈克耳逊干涉实验; 
4、观测模拟晶体的微波布拉格衍射现象.  

主要特点

 固态微波振荡器与衰减器、隔离器、发射喇叭一体化设计, 微波功率适当, 可衰减范围宽, 对人体无害; 

 液晶数显检波装置, 灵敏度高, 读数方便, 与微波接收喇叭、检波器一体化, 结构紧凑、性能稳定; 

 测量结果的对称性好, 无明显的固定角度偏差; 

 提供多种附件和实验方案选择, 可以进行综合性、设计性和研究性实验. 

主要参数

 微波频率: 9. 4GHz波段, 带宽: 约200MHz; 
 微波功率: 约20mW, 衰减幅度: 0～30dB; 
 三位半液晶数显检波仪, 测量角度偏差≤3°; 
 消耗功率: 满负荷时不大于25W; 

 连续工作时间: 大于6h; 
 电源电压: 220V, 50Hz; 
 仪器重量: 约20kg. 

微波的布拉格衍射

出厂价 GTMS-1  ￥23328. 00元

〖返回〗

〈34〉微波光学实验仪GTMS-1A                                                        

GTMS-1A微波光学实验仪采用类似光学分光计的设计思想. 成套仪器由三厘米微波信号源、固态微波振荡器、衰减器、隔离器、发射喇叭、接收喇叭、检波器、检波信号数显器、可旋转载物平台和支架, 以及其它附件(反射板、分束板、单缝、双缝、晶体模型、电磁波极化天线、栅网组件等)组成. 

可开设的实验

1、了解与学习微波产生的基本原理以及传播和接收等基本特性; 

2、进行微波干涉、衍射、偏振等实验; 

3、微波的迈克耳逊干涉实验; 

4、观测模拟晶体的微波布拉格衍射现象; 

5、圆极化波反射和折射特性的实验; 

6、线极化、圆极化或椭圆极化的产生和检测实验; 

主要技术参数

 微波频率: 9. 4GHz波段, 带宽: 约200MHz; 

 微波功率: 约20mW, 衰减幅度: 0～30dB; 

 电磁波极化天线和栅网组件工作频率范围: 8600～9600MHz; 

 三位半液晶数显检波仪, 测量角度偏差≤3º; 

 消耗功率: 满负荷时不大于25W;  

 连续工作时间: 大于6h;  

 电源电压: ～220V, 50Hz; 

主要技术特点

 该产品包含GTMS-1所有的技术特点; 

 增加电磁波极化天线和栅网组件, 可以深入研究电磁波的极化现象实验; 

 可以升级为微机型, 在电脑上自动完成单缝衍射、双缝干涉、布拉格衍射等实验, 并绘制曲线和保存实验数据. 

出厂价: GTMS-1A   ￥28512. 00元   数据采集器另配   ￥4200. 00元

〖返回〗

〈35〉全息照相实验仪 GT6516                                                          

   GT6516实验仪由轻便防震平台、光学元件、激光器、激光功率计、电子快门、轻便实验暗箱、洗片暗箱、重现装置等组成. 用He-Ne激光作为光源, 保证了物光和参考光之间的良好的相干性. 

可开设的实验

1、了解全息照相的基本原理; 学习全息照相的实验技术, 熟悉实验的组件和光路的调整; 

2、拍摄透射式激光重现全息图, 并再现物像; 

3、拍摄反射式白光重现全息图, 并再现物像; 

4、了解和使用显影、定影、冲洗等有关摄影技术. 

主要技术特点

 采用轻便式设计, 移动方便; 取消了传统的大型暗实验室, 没有暗室也可以进行实验; 

 采用多级防震设计, 取消了传统的实验防震平台; 

 将光路和拍摄系统与外部空间隔离, 从而减小了空气和震动的影响, 实验时可以不受讲话和人员走动的影响; 

 综合以上的设计, 可以在一个实验室中开设多组实验, 方便教学, 并大大节约了实验场地; 

 既可拍摄激光重现全息图,又可拍摄白光重现全息图,性价比高; 

 实验仪成套配备齐全, 耗材、附件长期供应, 无须担心因买不到耗材、附件而影响实验开设.

主要技术参数

 激光功率计: 含功率计探头和数显功率计, 测量范围2mW, 20mW, 3位半数显;  

 曝光定时器: 分辨率0. 1s, 量程1～999. 9s; 

 大功率氦氖激光器: 管长320mm, 功率＞3.5mW, 波长632. 8nm; 

 光学元件: 高反射镜, 半反射镜, 小扩束镜, 大扩束镜等; 

 耗材: Ag干板, RSP干板, 定影粉, 显影粉, 异丙醇等; 

 外形尺寸: 防震平台、轻便实验暗箱600×420×355mm; 洗片暗箱450×350×220mm.

出厂价: GT6516  ￥20448. 00元

〖返回〗

〈36〉光电传感器实验仪 GT-CGOP1                                                     

GT-CGOP1光电传感器实验仪由实验暗箱、九孔板插件、实验元件、电源、数字万用表等组成, 用于研究内光电效应类光敏传感器的基本特性和基本原理. 

实验内容

 1、了解光敏二极管的基本特性, 测量伏安特性和光照特性曲线
 2、了解光二极管的基本特性, 测量伏安特性和光照特性曲线
 3、了解硅光电池的基本特性, 测量伏安特性和光照特性曲线
 4、了解光敏三极管的基本特性, 测量伏安特性和光照特性曲线
 5、了解光纤传感器基本特性和光纤通讯基本原理